Samsung jako pierwszy wyprodukuje masowo pamięci 2Gb DDR3 w technologii 30nm

"Obserwujemy mocny wzrost zapotrzebowania na pamięć DDR3 i wychodzimy mu naprzeciw, wprowadzając do sprzedaży 30 nm pamięci Green DDR3" powiedział Soo-In Cho, prezes, Memory Division, Semiconductor Business, w Samsung Electronics. "30 nm pamięci DDR3 zapewnia najlepszą możliwą wydajność, przy jednoczesnej redukcji zapotrzebowania na energię, w wykorzystujących wielordzeniowe procesory komputerach klasy PC i serwerach".

Spośród dostępnych na rynku pamięci, 30 nm 2 Gb układy Green DDR3 firmy Samsung, zapewniają najwyższą wydajność, dzięki innowacyjnemu rozmieszczeniu układów scalonych. W serwerach, moduły pamięci osiągają przepustowość sięgajacą 1,866 Gb na sekundę, przy zasilaniu 1,35 V, a w komputerach klasy PC nawet 2,133 Gb na sekundę (zasilanie 1,5 V). To ponad trzykrotnie szybciej niż moduły pamięci DDR2 i półtora razy szybciej niz 50 nm układy pamięci DDR3.

Ostatni wzrost sprzedaży na rynku smartfonów, zaowocował zdecydowanym zwiększeniem ruchu sieciowego i przepływu danych. Nowe pamięci Samsunga zapewniają najwyższą wydajność i niskie zapotrzebowanie na energie, co czyni je gotowymi do wykorzystania w serwerach nowej generacji zoptymalizowanych pod kątem wirtualizacji i cloud computing. Wykorzystując technologie 30 nm pamięci Samsung, serwery zużyją około 20% mniej energii, niż w przypadku zastosowania pamięci wykonanych w 50 nm procesie produkcji.

Dodatkowo, w połączeniu z nowymi, wielordzeniowymi platformami PC, 4GB 30 nm kosc pamieci DDR3 pracuje o 60% szybciej niż dwie 2GB 50 nm kości pamięci DDR3, zużywając przy tym o 65 procent mniej energii. 30 nm proces produkcji pozwolił na 155% wzrost wydajności w stosunku do 50 nm procesu produkcji.

Samsung wkrótce poszerzy swoją ofertę o 4GB, 8GB, 16GB i 32GB 30 nm pamięci RDIMM przeznaczone do serwerów, 2GB, 4GB i 8GB pamięci UDIMM przeznaczone do stacji roboczych i komputerów klasy PC oraz 2GB, 4GB i 8GB pamięci SoDIMM przeznaczone do notebooków i komputerów typu all-in-one. Pod koniec roku firma planuje również produkcje 4Gb kości pamięci DDR3, wykonanych w 30 nm procesie technologicznym.